4N35M


Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%

Купить 4N35M по цене 45.60 руб.  (без НДС 20%)
4N35M
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
4N35M 4 45.60 
4N35M (LIT) 18 15.58 

Версия для печати

Технические характеристики 4N35M

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Количество каналов1
Current Transfer Ratio (Min)100% @ 10mA
Vce Saturation (Max)300mV
Корпус (размер)6-DIP
Тип монтажаВыводной
Тип выходаTransistor with Base
Current - DC Forward (If)60mA
Напряжение выходное30V
Voltage - Isolation7500Vpk
Тип входаDC
Output TypeTransistor with Base
Ток выходной / канал100mA
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

4N35M (Оптроны фототранзисторные)

Фототранзисторный оптрон общего назначения

Производитель:
Fairchild Semiconductor

4N35M datasheet
135.2 Кб

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
IRF830 N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF830 N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF830 N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А   ВЗПП Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF830 N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А     608 25.08 
IRF830 N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF830 N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF830 N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF830 N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
TMV 0515D DC/DC, 1Вт, вход 4.5-5.5V, выход +15V/30mA, изоляция 3000VDC,корпус SIP7 ...   TRACO Заказ радиодеталей цена радиодетали
TMV 0515D DC/DC, 1Вт, вход 4.5-5.5V, выход +15V/30mA, изоляция 3000VDC,корпус SIP7 ...     Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107И Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный     103 5.28 
КТ3107И Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   КРЕМНИЙ 80 12.24 
КТ3107И Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   МИНСК 113 10.00 
КТ3107И Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   СВЕТЛАНА Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107И Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   РИГА Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107И Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   БРЯНСК 992 12.00 
КТ3107И Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107И Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   ИНТЕГРАЛ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107И Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   ПРОХЛАДНЫЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107И Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   НАЛЬЧИК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107И Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   АЛЕКСАНДРОВ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ3107И Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный   КРЕМНИЙ ЭЛ 16 6.22 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход