Версия для печати
Технические характеристики IRF630N

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 5.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	575pF @ 25V
Power - Max	82W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

IRF630N (N-канальные транзисторные модули) Power MOSFET (Vdss=200V, Rds (on) =0.30ohm, Id=9.3A) Также в этом файле: IRF630NL, IRF630NS Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRF630N datasheet 155.06Kb 11стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	65.59
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	RECTIFIER
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	VISHAY
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	INTERSIL
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	ST MICROELECTRONICS
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт			43.12
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	INTERSIL	7
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	STMicroelectronics
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	Vishay/Siliconix
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	ФИЛИППИНЫ
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	MOTOROLA
		IRF630		Транзистор полевой N-канальный 200В, 9А, 75Вт	ST MICROELECTRO
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	DC COMPONENTS	127	101.87
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	MCC
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	WTE
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V		3	218.30
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	QUAN-HONG
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	GALAXY
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	КИТАЙ
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	MIC	380	67.76
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YJ	14 744	66.12
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	KINGTRONICS
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	GALAXY ME
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	WUXI XUYANG	1 180	68.39
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YANGJIE	11 120	75.78
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YANGJIE (YJ)
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YS
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	KLS	3 680	113.65
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	SEP
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	HOTTECH
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YANGZHOU YANGJIE
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	RUICHI	4	80.48
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	ST MICROELECTRONICS	682	20.32
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.			42.28
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	ST MICROELECTRONICS SEMI	24
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	STMicroelectronics
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	ON Semiconductor
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	КИТАЙ
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	ST MICROELECTRO
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	STMICROELECTR
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	ONS-FAIR
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	4-7 НЕДЕЛЬ	262
		VS-80EPF06			VISHAY
		КЦ201Г				125	153.72
		КЦ201Г			ТОМИЛИНО
		КЦ201Г			СЗТП	8	1 249.28
		КЦ201Г			САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"