2N7002E-T1-E3


Купить 2N7002E-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
2N7002E-T1-E3
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
2N7002E-T1-E3 (SILICONIX.) 384 3-4 недели
Цена по запросу
2N7002E-T1-E3 (VISHAY.) 1 792 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики 2N7002E-T1-E3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs3 Ohm @ 250mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C240mA
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs0.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds21pF @ 5V
Power - Max350mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусSOT-23-3 (TO-236)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход