Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Frequency - Transition | 8GHz |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz |
Power - Max | 380mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 15mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-253-4, TO-253AA |
Корпус | SOT-143B |
BFG67/X (Радиочастотные биполярные транзисторы) NPN 8 GHz wideband transistors Также в этом файле: BFG67/X, BFG67/XR, BFG67/XR
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GRM188R71C334KA01D | Murata Electronics North America | |||||||
GRM188R71C334KA01D | MUR | 27 326 | 1.52 | |||||
GRM188R71C334KA01D | ||||||||
GRM188R71C334KA01D | MURATA | 3 688 | 8.83 | |||||
GRM188R71C334KA01D | MURATA | 2 000 | ||||||
PVZ3A103C01R00 | MURATA | |||||||
PVZ3A103C01R00 | 15.20 | |||||||
PVZ3A103C01R00 | Murata Electronics North America | |||||||
PVZ3A103C01R00 | MUR | |||||||
PVZ3A103C01R00 | КИТАЙ | |||||||
PVZ3A502C01R00 | Murata Electronics North America | |||||||
PVZ3A502C01R00 | MUR | |||||||
PVZ3A502C01R00 | ||||||||
PVZ3A502C01R00 | MURATA | |||||||
RLB0914-102KL | Катушка индуктивности на ферритовом сердечнике экранированная 1мГн, 300мА, 10%, 2.1Ом | BOURNS | 136 | 52.15 | ||||
RLB0914-102KL | Катушка индуктивности на ферритовом сердечнике экранированная 1мГн, 300мА, 10%, 2.1Ом | 57.60 | ||||||
RLB0914-221KL | Индуктивность 220μH 0,7A 8,7x12mm | BOURNS | 572 | 13.58 | ||||
RLB0914-221KL | Индуктивность 220μH 0,7A 8,7x12mm | 54.00 |
|