IRF7205PBF
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 4.6A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 870pF @ 10V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
CM322522-100KL |
|
ЧИП-индуктивность 10мкГн, 1210 | BOURNS | 20 | 20.00 | |
|
|
|
CM322522-100KL |
|
ЧИП-индуктивность 10мкГн, 1210 |
|
67.20 | ||
 |
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210 | BOURNS | 1 | 16.35 | |
|
|
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210 |
|
19.84 | ||
|
|
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210 | ВОURNS |
|
|
|
| DG390-5,0-03P-12-00A |
|
|
||||||
| DG390-5,0-03P-12-00A |
|
|
||||||
| G 738 СЕРЫЙ | GAINTA |
|
|
|||||
 |
|
SDR1006-330KL |
|
Индуктивность 33 мкГн SMD | BOURNS | 32 | 69.67 | |
|
|
|
SDR1006-330KL |
|
Индуктивность 33 мкГн SMD |
|
56.00 |
