Версия для печати
Технические характеристики КС515Г1

Мощность рассеяния,Вт	0.5
Минимальное напряжение стабилизации,В	14
Номинальное напряжение стабилизации,В	15
Максимальное напряжение стабилизации,В	16
Статическое сопротивление Rст.,Ом	25
при токе I ст,мА	5
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С	0.005
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В	1
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА	3
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА	31
Рабочая температура,С	-60...100
Способ монтажа	в отверстие
Корпус	kd25
Производитель	Россия

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

СТАБИЛИТРОНЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)			17.72
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	13 586	11.39
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	2 384	9.02
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		КП303Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...		800	40.80
		КП303Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	ФОТОН	880	118.08
		КП303Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КП303Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	АЛЕСАНДРОВ
		КП303Б		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	RUS
		КР1534ПП1					144.00
		КР1534ПП1			САРАТОВ
		КР1534ПП1			РЕФЛЕКТОР
		КС515Г ПЛ
		КС515Г ПЛ			САРАНСК
		КТ602БМ				267	20.40
		КТ602БМ			БРЯНСК	602	14.00
		КТ602БМ			ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
		КТ602БМ			ВОРОНЕЖ
		КТ602БМ			КРЕМНИЙ	266	28.05
		КТ602БМ			КРЕМНИЙ ЭЛ	400	6.78

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"