STGD5NB120SZ-1

Внутреннезамкнутый igbt-транзистор на 1200 в, 5 а

Версия для печати

Технические характеристики STGD5NB120SZ-1

Current - Collector (Ic) (Max)	10A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Серия	PowerMESH™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Power - Max	75W
Тип входа	Logic
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STGD5NB120SZ-1 (IGBT)

Внутреннезамкнутый IGBT-транзистор на 1200 В, 5 А

Производитель:
STMicroelectronics

STGD5NB120SZ-1 datasheet
397.2 Кб

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
HER308 (3A 1000V)	диод из серии высокоэффективных диодов с малым временем восстановления
KBPC5010	Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	DC COMPONENTS
KBPC5010	Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	MASTER INSTRUMENT CO
KBPC5010	Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм		39	264.00
KBPC5010	Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	MIC
KBPC5010	Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	EUPEK
KBPC5010	Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	QUAN-HONG
KBPC5010	Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	GALAXY
KBPC5010	Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	YJ	2 645	120.18
KBPC5010	Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	КИТАЙ
KBPC5010	Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
KBPC5010	Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	PS
KBPC5010	Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
KBPC5010	Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	SEP
KBPC5010	Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	KINGTRONICS
KBPC5010	Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	GALAXY ME
KBPC5010	Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	MULTICOMP
KBPC5010	Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	SSO
KBPC5010	Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	KLS	3 920	108.24
KBPC5010	Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	HOTTECH	632	108.24
KBPC5010	Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	WUXI XUYANG
KBPC5010	Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	YANGJIE	5 800	86.47
KBPC5010	Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	YANGJIE (YJ)
KBPC5010	Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм	HYELEC	1 212	183.48
MF-2 9.1M 5%
MF-2 9.1M 5%		КИТАЙ
WL-16-3300 (JAM)		КИТАЙ
WL-16-3300 (JAM)		JAMICON
Z0107MNT1G		ONS
Z0107MNT1G		ON SEMICONDUCTOR
Z0107MNT1G

STGD5NB120SZ-1

Внутреннезамкнутый igbt-транзистор на 1200 в, 5 а

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

IGBT - одиночные

С этим товаром покупают: