Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIR
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FSC
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAI/QTC
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W		800	28.78
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIRCHILD
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIRCHILD
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	Fairchild Semiconductor
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FSC1
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	КИТАЙ
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ON SEMI/FAIRCH
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONSEMICONDUCTOR
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONS
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONS-FAIR
		FQPF10N60C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	FAIR
		FQPF10N60C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	FSC
		FQPF10N60C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	FAIRCHILD
		FQPF10N60C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)			130.80
		FQPF10N60C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	FAIRCHILD
		FQPF10N60C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	Fairchild Semiconductor
		FQPF10N60C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	США
		FQPF10N60C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		FQPF10N60C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	FSC1
		FQPF10N60C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	ONS-FAIR
		FQPF10N60C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	ONS
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	CHIN
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	DC COMPONENTS	37 584	2.00
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	MCC
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)		52	8.40
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	GALAXY
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	DC COMPONENTS
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.	756
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	RECTRON	82
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	GEMBIRD
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	КИТАЙ	400	6.63
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	NINGBO
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	MIC	17 200	1.36  >100 шт.   0.68
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	RECTIFIER
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	QUAN-HONG
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	GALAXY ME
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	KINGTRONICS
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	TSC
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	SUNTAN
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	KLS
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	WUXI XUYANG	1 788	2.75
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	HOTTECH	35 360	1.61
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	YANGJIE	12 800	2.26
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	1
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	NY	12 800	2.00
		IRF840A		Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)	INTERNATIONAL RECTIFIER	8	137.70
		IRF840A		Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)	VISHAY
		IRF840A		Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)			87.20
		IRF840A		Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)	Vishay/Siliconix
		IRF840A		Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)	SILICONIX	26
		IRF840A		Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)	ST MICROELECTRONICS	8	137.70
		IRF840A		Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)	SILICONIX
		IRF840A		Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)	1
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...		2 232	33.44
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	КРЕМНИЙ	540	51.00
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	БРЯНСК	169	90.00
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	УЛЬЯНОВСК
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	МИНСК
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	RUS
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"