DIODE SCHOTTKY 2X5A 150V D2PAK |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 5A |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 2µA @ 150V |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 5A |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Diode Type | Schottky |
Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AT29C512-120TC | ATMEL | |||||||
AT29C512-120TC | ||||||||
AT89C51-20PI | ATMEL | |||||||
AT89C51-20PI | 1 | 475.20 | ||||||
RSMF1JT1R00 | STACKPOLE ELECTRONICS | |||||||
RSMF1JT1R00 | STACKPOLE ELECTRONICS INC. | 855 | ||||||
RSMF1JT1R00 | Stackpole Electronics Inc | |||||||
RSMF1JT1R00 | ||||||||
W27C512-45Z | Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | WINBOND | 344 | 619.92 | ||||
W27C512-45Z | Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | WIN | ||||||
W27C512-45Z | Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | Winbond Electronics | ||||||
W27C512-45Z | Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) | ||||||
W27C512-45Z | Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) | ||||||
W27C512-45Z | Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | |||||||
W27C512-45Z | Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | NO NAME | ||||||
W27C512-45Z | Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс | 141.80 | ||||||
W27E010-12 | WINBOND | |||||||
W27E010-12 | WINBOND |
|