BCP56-10
Транзистор NPN, Тип монт. smd, VCEO,В Uce=80V, Ic Ic=1A, Ptot,Вт P=1.5W, hFE 63-160, ft,МГц f=130MHz
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
| Power - Max | 960mW |
| Frequency - Transition | 180MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BCP56 Npn Silicon Planar Medium Power Transistor Также в этом файле: BCP56-10
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFW17A |
|
Транзистор |
|
50.64 | |||
|
|
BFW17A |
|
Транзистор | NXP |
|
|
||
|
|
IRAMS10UP60B | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||||
|
|
IRAMS10UP60B |
|
882.00 | |||||
|
|
IRAMS10UP60B | INFINEON |
|
|
||||
 |
KA3511 | SAMSUNG |
|
|
||||
|
|
KA3511 | SEC |
|
|
||||
|
|
KA3511 | 1 | 399.60 | |||||
|
|
KA3511 | NO TRADEMARK |
|
|
||||
|
|
KA3511 | 1 |
|
|
||||
|
|
LF357N | ST MICROELECTRONICS | 385 | 40.00 | ||||
|
|
LF357N | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LF357N |
|
227.04 | |||||
| MC3361 |
|
ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16 | SAMSUNG | 80 | 96.90 | |||
| MC3361 |
|
ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| MC3361 |
|
ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16 | 4 | 93.60 | ||||
| MC3361 |
|
ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16 | MOTOROLA |
|
|
|||
| MC3361 |
|
ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16 | 1 |
|
|
