STW4N150

Версия для печати

Технические характеристики STW4N150

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PowerMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 Ohm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1500V (1.5kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	50nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 25V
Power - Max	160W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STW4N150 (MOSFET)

N-channel 1500 V - 5 ? - 4 A - PowerMESH™ Power MOSFET TO-247

Производитель:
STMicroelectronics

STW4N150 datasheet
457.9 Кб