STP5NK80ZFP

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
STP5NK80ZFP (ST MICROELECTRONICS)	1 749	35.39
STP5NK80ZFP	3	187.20
STP5NK80ZFP (ST MICROELECTRONICS SEMI.)	36	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики STP5NK80ZFP

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SuperMESH™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 Ohm @ 2.15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	45.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	910pF @ 25V
Power - Max	30W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220FP
Корпус	TO-220FP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP5NK80ZFP (MOSFET)

N-channel 800V - 1.9? - 4.3A - TO-220FP Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP5NK80ZFP datasheet
351.8 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
G30N60A4	Транзистор IGBT TO-247AC, 600V, 75A, 463W, 8.0 г.	FAIR
G30N60A4	Транзистор IGBT TO-247AC, 600V, 75A, 463W, 8.0 г.
IRG4PSC71UD	Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4PSC71UD	Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...
IRG4PSC71UD	Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
IRG4PSC71UD	Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
IRG4PSC71UD	Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...	INFINEON
MB1510	Мост 15А, 1000В	DC COMPONENTS
MB1510	Мост 15А, 1000В
MB1510	Мост 15А, 1000В
MB1510	Мост 15А, 1000В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
MB1510	Мост 15А, 1000В	YJ
STTH1602CT		ST MICROELECTRONICS
STTH1602CT		ST MICROELECTRONICS SEMI
STTH1602CT		STMicroelectronics
STTH1602CT
С5-5 - 10 ВТ 20 ОМ 5%			169	144.00