STP5NK80ZFP


N-channel 800v - 1.9? - 4.3a - to-220fp zener-protected supermesh™ power mosfet

Купить STP5NK80ZFP по цене 42.63 руб.  (без НДС 20%)
STP5NK80ZFP
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
STP5NK80ZFP (ST MICROELECTRONICS) 5 100 42.63 
STP5NK80ZFP (ST MICROELECTRONICS SEMI.) 42 3-4 недели
Цена по запросу
STP5NK80ZFP (STMICROELECTR.) 902 36.55 

Версия для печати

Технические характеристики STP5NK80ZFP

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияSuperMESH™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4 Ohm @ 2.15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.3A
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs45.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds910pF @ 25V
Power - Max30W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220FP
КорпусTO-220FP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP5NK80ZFP (MOSFET)

N-channel 800V - 1.9? - 4.3A - TO-220FP Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP5NK80ZFP datasheet
351.8 Кб

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   MOTOROLA Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   SAMSUNG Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   SPRAGUE Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   CDIL Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   UTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   DC COMPONENTS 2 466 1.67 
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   DIOTEC 2 468 1.47 
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   MOTOROLA Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   SAMSUNG Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   ON Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   КИТАЙ 400 9.13 
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   INCHANGE SEMIC Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   МИНСК 8 685 2.00 
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...     1 600 2.00 
>100 шт.   1.00 
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   INCHANGE Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   ON SEMI/FAIRCH Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   MULTICOMP Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   HOTTECH 1 864 1.42 
2N5401 Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...   KLS 16 800 1.25 
G30N60A4 Транзистор IGBT TO-247AC, 600V, 75A, 463W, 8.0 г.   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
G30N60A4 Транзистор IGBT TO-247AC, 600V, 75A, 463W, 8.0 г.     Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PSC71UD Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PSC71UD Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...     Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PSC71UD Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...   INFINEON 658 625.19 
IRG4PSC71UD Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...   ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PSC71UD Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...   ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MB1510 Мост 15А, 1000В   DC COMPONENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MB1510 Мост 15А, 1000В     Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MB1510 Мост 15А, 1000В     Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MB1510 Мост 15А, 1000В   ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MB1510 Мост 15А, 1000В   YJ 4 87.58 
    С5-5 - 10 ВТ 20 ОМ 5%       233 80.00 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход