SGP02N120


FastIGBT, 1200v 2A

Купить SGP02N120 по цене 206.00 руб.  (без НДС 20%)
SGP02N120
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
SGP02N120 цена радиодетали 206.00 

Версия для печати

Технические характеристики SGP02N120

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
IGBT TypeNPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic3.6V @ 15V, 2A
Current - Collector (Ic) (Max)6.2A
Power - Max62W
Тип входаStandard
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусPG-TO220-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SGx02N120 (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором))

Fast S-IGBT In Npt-technology

Также в этом файле: SGP02N120

Производитель:
Infineon Technologies AG
//www.infineon.com

SGP02N120 datasheet
393.03Kb
13стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   FAI/QTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR 800 15.30 
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   MOTOROLA Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   TOSHIBA Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   DC COMPONENTS 7 143 5.61 
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   UTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   DIOTEC 17 798 2.97 
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   MOTOROLA Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   OTHER Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   NS Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   KEC Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)     12 002 1.13 
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   TOSHIBA Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   --- Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   NO TRADEMARK Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   MULTICOMP Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   HOTTECH 6 239 1.69 
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   CHINA 19 200 1.28 
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   ZH Заказ радиодеталей цена радиодетали
SGP07N120 Модуль IGBT 1200В 16.5A 125Вт   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
SGP07N120 Модуль IGBT 1200В 16.5A 125Вт     4 304.80 
SGP07N120 Модуль IGBT 1200В 16.5A 125Вт   Infineon Technologies Заказ радиодеталей цена радиодетали
SGP07N120 Модуль IGBT 1200В 16.5A 125Вт   ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
SGP07N120 Модуль IGBT 1200В 16.5A 125Вт   INFINEON TECH Заказ радиодеталей цена радиодетали
    SZC-0018 / NP-144 STEREO 3.5 M       Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход