BFP450

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BFP450		59.52

Версия для печати

Технические характеристики BFP450

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	5V
Frequency - Transition	24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)	1.25dB @ 1.8GHz
Gain	15.5dB
Power - Max	450mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 50mA, 4V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-82A, SOT-343
Корпус	PG-SOT343-4

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BFP450

NPN Silicon RF Transistor (For medium power amplifiers)

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

BFP450 datasheet
52.49Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	NEC
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz		3 552	2.24
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	UNKNOWN
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	ISC	1 777	17.39
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	ISCSEMI
2SC3356	Биполярный транзистор NPN 20V, 0.1A, 0,2W, 7000MHz	TECH PUB	9 216	3.07
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	NEC
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт			62.64
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	ISC	355	32.41
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	КИТАЙ
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	ISCSEMI
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	ICS COMPONENTS	240	47.23
2SC3357	Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	TECH PUB	1 484	11.01
MAX5362MEUK+T		MAX
MAX5362MEUK+T		Maxim Integrated Products
RFPIC12F675F-I/SS		MICRO CHIP
RFPIC12F675F-I/SS				368.60
RFPIC12F675F-I/SS		Microchip Technology
RFPIC12F675F-I/SS		MICRO CHIP
RFPIC12F675F-I/SS		США
RFPIC12F675F-I/SS		СОЕДИНЕННЫЕ ШТА