| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
400
|
10.93
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
|
2 428
|
1.90
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
TAK CHEONG ELECTRONICS
|
932
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
SUNTAN
|
620
|
1.58
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
XXW
|
151
|
1.37
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
KEEN SIDE
|
16 860
|
1.28
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
MOTOROLA
|
1 199
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
121 655
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
|
1 600
|
1.90
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
YJ
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
KEEN SIDE
|
18 888
|
1.28
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
|
17 280
|
3.75
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
HOTTECH
|
9 848
|
14.50
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
SMCMICRO
|
5 611
|
18.45
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
KEENSIDE
|
|
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
LGE
|
5 080
|
14.18
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
YUNYI
|
632
|
9.03
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
KEEN SIDE
|
396
|
4.21
|
|
|
|
|
30BQ060 |
|
диод Шоттки 3А 60В SMC
|
2540
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
2 272
|
1.49
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
73 904
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
77
|
4.26
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
25
|
1.40
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
1 201
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
11
|
2.96
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
52
|
1.50
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
88 626
|
3.51
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
296 838
|
3.26
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
XXW
|
11 480
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
CJ
|
8 000
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
31 224
|
1.48
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HXY
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
3615
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
10000
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
1500
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM
|
28 405
|
113.65
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM/DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
|
|
364.00
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAX
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
DS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM INTEGR
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAX/DALL
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM INTEGRATED
|
3 120
|
98.33
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
1
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
1585
|
|
|
|