Корпус (размер) | 64-LQFP |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Тип осцилятора | Internal |
Преобразователи данных | A/D 16x10b |
Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2.95 V ~ 5.5 V |
Размер памяти | 4K x 8 |
EEPROM Size | 1.5K x 8 |
Тип программируемой памяти | FLASH |
Размер программируемой памяти | 64KB (64K x 8) |
Число вводов/выводов | 52 |
Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
Подключения | I²C, IrDA, LIN, SPI, UART/USART |
Скорость | 24MHz |
Размер ядра | 8-Bit |
Процессор | STM8 |
Серия | STM8S |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPD053N08N3 G | INFINEON | |||||||
IPD053N08N3 G | Infineon Technologies | |||||||
L6392D | ST MICROELECTRONICS | |||||||
L6392D | STMicroelectronics | |||||||
L6392D | ||||||||
L6392D | ||||||||
STP60NF10 | Транзистор полевой N-канальный (100V, 80A, 300W, 0.023R) | ST MICROELECTRONICS | ||||||
STP60NF10 | Транзистор полевой N-канальный (100V, 80A, 300W, 0.023R) | STMicroelectronics | ||||||
STP60NF10 | Транзистор полевой N-канальный (100V, 80A, 300W, 0.023R) | ST MICROELECTRONICS SEMI | ||||||
STP60NF10 | Транзистор полевой N-канальный (100V, 80A, 300W, 0.023R) | |||||||
STP60NF10 | Транзистор полевой N-канальный (100V, 80A, 300W, 0.023R) | |||||||
TCST1202 | Оптодатчик с зазором 3.1мм на плату CTR | VISHAY | 201 | 110.03 | ||||
TCST1202 | Оптодатчик с зазором 3.1мм на плату CTR | 120.00 | ||||||
TCST1202 | Оптодатчик с зазором 3.1мм на плату CTR | Vishay/Semiconductors | ||||||
TCST1202 | Оптодатчик с зазором 3.1мм на плату CTR | КИТАЙ | 160 | 137.76 | ||||
TPS54160DGQR | TEXAS INSTRUMENTS | |||||||
TPS54160DGQR | TEXAS INSTRUMENTS | 4 416 | ||||||
TPS54160DGQR | TEXAS |
|