|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV70LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
40 408
|
2.00
|
|
|
|
BAV70LT1G |
|
|
ONS
|
8 800
|
4.92
|
|
|
|
BAV70LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 292
|
|
|
|
|
BAV70LT1G |
|
|
|
911
|
5.28
|
|
|
|
BAV70LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
BAV70LT1G |
|
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70LT1G |
|
|
LRC
|
|
|
|
|
|
LM311DT |
|
Компаратор одноканальный+-18V, 200ns
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM311DT |
|
Компаратор одноканальный+-18V, 200ns
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM311DT |
|
Компаратор одноканальный+-18V, 200ns
|
|
|
20.92
|
|
|
|
LM311DT |
|
Компаратор одноканальный+-18V, 200ns
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM311DT |
|
Компаратор одноканальный+-18V, 200ns
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM311DT |
|
Компаратор одноканальный+-18V, 200ns
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
11 175
|
16.00
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
434
|
16.00
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
|
1 600
|
10.28
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
237
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
SCS-14 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
|
12 702
|
2.65
|
|
|
|
SCS-14 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
BM
|
|
|
|
|
|
SCS-14 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
SCS-14 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
NXU
|
|
|
|
|
|
SCS-14 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
NLT
|
|
|
|
|
|
SCS-14 |
|
Панель для микросхем в узких корпусах DIP
|
RUICHI
|
3 933
|
4.30
|
|
|
|
SDR1006-330KL |
|
Индуктивность 33 мкГн SMD
|
BOURNS
|
32
|
68.25
|
|
|
|
SDR1006-330KL |
|
Индуктивность 33 мкГн SMD
|
|
|
56.00
|
|