SH200M3R30B3F-0811
Электролитический алюминиевый конденсатор 3.3 мкФ 200 В
|
Версия для печати
| Производитель | Yageo Corporation |
| Допуск емкости | ±20% |
| Номинальное напряжение | 200 В |
| Ток утечки | 30 мкА |
| Тангенс угла диэлектрических потерь | 0.15 |
| Максимальный ток пульсаций | 0.036 А |
| Шаг выводов | 3.5 мм |
| Срок службы | 2000 Ч |
| Размер корпуса | ф 8x11 |
| Рабочая температура | -40...105 °C |
| For General | |
| Емкость | 3.3 мкФ |
| Серия | SH |
| Корпус (размер) | Radial |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип | Электролитический алюминиевый |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DT9905C |
|
|
||||||
| DT9905C |
|
|
||||||
| SN050M0022B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 50 В | YAGEO |
|
|
|||
| SN050M0022B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 50 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| SN050M0022B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 50 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| SN050M0022B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 50 В | 1 | 2.51 | ||||
 |
КП307А |
|
Транзистор кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ... | 877 | 24.64 | |||
|
|
КП307А |
|
Транзистор кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ... | ФОТОН | 742 | 30.00 | ||
 |
КП307Б | 84 | 56.10 | |||||
|
|
КП307Б | ФОТОН | 1 319 | 30.00 | ||||
 |
 |
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) | 813 | 30.60 | ||
|
|
|
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) | ТОНДИ |
|
|
