Версия для печати
Технические характеристики LG063M4700BPF-3040

Номинальное напряжение	63 В
Емкость	4700 мкФ
Серия	LG
Корпус (размер)	Snap In
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AN7591			MATSUSHITA
		AN7591					230.00
		AN7591			MAT
		AN7591			PAN
		AN7591			СИНГАПУР
		AN7591			4-7 НЕДЕЛЬ
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	DC COMPONENTS	940	29.99
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	FAIR
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	GENERAL SEMICONDUCTOR
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR			60.44
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	MASTER INSTRUMENT CO
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	FAIRCHILD
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	MIC
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	FAIRCHILD
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	GENERAL SEMICONDUCTOR
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	GALAXY
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	Fairchild Semiconductor
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	КИТАЙ
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	YJ	573	38.25
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	GALAXY ME
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	HOTTECH	530	34.72
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	PANJIT
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	YANGJIE	600	28.11
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	RUME	6 080	21.79
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	YANGZHOU YANGJIE
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	MERRYELC
		RC0805FR-0722RL			YAGEO	2 000	3.28
		RC0805FR-0722RL			YAGEO	20 000
		RC0805FR-0722RL
		SH006M0220BZF-0611		Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 6.3 В	YAGEO
		SH006M0220BZF-0611		Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 6.3 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SH006M0220BZF-0611		Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 6.3 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...		370	36.80
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...	КРЕМНИЙ	80	78.08
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...	БРЯНСК	514	18.60
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...	МИНСК
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...	УЛЬЯНОВСК
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...	РОССИЯ
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...	30
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...	48
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...	50

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"