Версия для печати
Технические характеристики GR-63-470

Номинальное напряжение	63 В
Емкость	470 мкФ
Корпус (размер)	Radial
Тип	Электролитический алюминиевый
Серия	GR
Тип монтажа	Выводной

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

Синонимы от поставщиков: GR-63-470 ; GR-63 ; GR 63 ; GR — 63 ; GR63 ; конденсатор GR-63 ;

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	DC COMPONENTS	1 004	30.34
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	FAIR
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	GENERAL SEMICONDUCTOR
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR			60.44
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	MASTER INSTRUMENT CO
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	FAIRCHILD
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	MIC
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	FAIRCHILD
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	GENERAL SEMICONDUCTOR
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	GALAXY
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	Fairchild Semiconductor
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	КИТАЙ
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	YJ	893	38.71
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	GALAXY ME
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	HOTTECH	530	37.18
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	PANJIT
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	YANGJIE	640	26.54
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	RUME	6 080	22.11
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	YANGZHOU YANGJIE
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	MERRYELC
		7812 (L7812CV)		Стабилизаторы положительной полярности с максимальным выходным током 1,5А в ...	ST MICROELECTRONICS
		7812 (L7812CV)		Стабилизаторы положительной полярности с максимальным выходным током 1,5А в ...	KLS
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...		2 054	33.48
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	КРЕМНИЙ	484	53.09
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	БРЯНСК	850	83.70
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	УЛЬЯНОВСК	9	18.60
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	МИНСК
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	RUS
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	127
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	15
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	25
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	32
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	988
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...		370	55.20
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...	КРЕМНИЙ	80	78.08
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...	БРЯНСК	366	18.60
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...	МИНСК
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...	УЛЬЯНОВСК
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...	РОССИЯ
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...	30
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...	48
		КТ819Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, ...	50
		ППБ-1Б-680 5%					28.96

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"