Версия для печати
Технические характеристики MJE340G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	300V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 50mA, 10V
Power - Max	20W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-225-3
Корпус	TO225AA

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	10 563	4.65
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	16 525	3.59
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	1 200	4.92
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	3 084	4.00
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...		18 560	1.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	57 209	1.91
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	24 800	1.37
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 604	2.21
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		2SK1529Y+2SJ200Y			TOSHIBA
		2SK1529Y+2SJ200Y					1 369.20
		2SK1529Y+2SJ200Y			TOS
		BC550CG		Транзситор NPN 45, 100мA, 0.5Вт	ON Semiconductor
		BC550CG		Транзситор NPN 45, 100мA, 0.5Вт	ONS
		BC550CG		Транзситор NPN 45, 100мA, 0.5Вт		4
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	FAIR
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	MOTOROLA
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ST MICROELECTRONICS
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...			40.56
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	MOTOROLA	15
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	STMicroelectronics
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	FAIRCHILD
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	FAIRCHILD
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	США
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ИНДИЯ
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ST MICROELECTRO
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ON SEMI/FAIRCH
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ONSEMICONDUCTOR
		MJE350G			ON Semiconductor
		MJE350G			ONS	160	47.42
		MJE350G				3 465	23.70
		MJE350G			ONSEMICONDUCTOR

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"