КОРПУС ДЛЯ РЭА G1005025B+L

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805-200 5%	ЧИП — резистор (бескорпусный толстопленочный) 200Ом, 5%, 0,125Вт			1.60 >100 шт. 0.80
DC-10SRWA	Линейка светодиодная, 10 сегментов, красный 31мКд	KINGBRIGHT
DC-10SRWA	Линейка светодиодная, 10 сегментов, красный 31мКд
DC-10SRWA	Линейка светодиодная, 10 сегментов, красный 31мКд	KB
DC-10SRWA	Линейка светодиодная, 10 сегментов, красный 31мКд
DC-10SRWA	Линейка светодиодная, 10 сегментов, красный 31мКд	КИТАЙ
DC-10SRWA	Линейка светодиодная, 10 сегментов, красный 31мКд	KGB
G1005025B		GAINTA	13 118	38.60
G1005025B
L-7104SURC		KB
L-7104SURC		КИТАЙ
L-7104SURC
SPA04N60C3	MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	INFINEON
SPA04N60C3	MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...			166.40
SPA04N60C3	MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...			166.40
SPA04N60C3	MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	Infineon Technologies
SPA04N60C3	MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	INFINEON
SPA04N60C3	MOSFET силовой транзистор, Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 4.5 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; ...	INFINEON TECH