STP75NF75

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STP75NF75 (ST MICROELECTRONICS SEMI.)	16	3-4 недели Цена по запросу
STP75NF75	1	152.40

Транзистор полевой N-канальный MOSFET
Напряжение сток/исток 75В
Ток сток/исток 80A
Мощность 45Вт
Диапазон температур - 55 ... 175^оС

Версия для печати

Технические характеристики STP75NF75

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STripFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 40A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	80A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	160nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3700pF @ 25V
Power - Max	300W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP75NF75 (MOSFET)

N-channel 75V - 0.0095? - 80A - TO-220 STripFET™ II Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP75NF75 datasheet
420.6 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC2625	Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	FUJI ELECTRIC	80	311.10
2SC2625	Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	FUJITSU
2SC2625	Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W			131.80
2SC2625	Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	FUJ
2SC2625	Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	FUJI
2SC2625	Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	КИТАЙ
2SC2625	Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	ISCSEMI
2SC2625	Биполярный транзистор Si-N, 450/400V, 10A, 80W	INCHANGE	136	519.40
2Г401ВГЕН.ШУМА
2Г401ВГЕН.ШУМА		НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
FT232RL-REEL		FUTURE TECH DEVICES INTER
FT232RL-REEL		FTDI, Future Technology Devices International Ltd
FT232RL-REEL		FTDI	6 714	560.88
FT232RL-REEL		FUTURE TECH DEVICES INTER LTD	38 339
FT232RL-REEL
FT232RL-REEL		1
SF28 (2A 600В)
КП727Б			17	52.50