|
Версия для печати
| Производитель | Yageo Corporation |
| Допуск емкости | ±20% |
| Номинальное напряжение | 10 В |
| Тангенс угла диэлектрических потерь | 0.19 |
| Эквивалентное последовательное сопротивление | 22 мОм |
| Максимальный ток пульсаций | 2.15 А |
| Шаг выводов | 5 мм |
| Срок службы | 5000 Ч |
| Особенности | no Lead Cut / Standard |
| Размер корпуса | ф 10x25 |
| Рабочая температура | -40...105 °C |
| Low impedance and High ripple | |
| Емкость | 1500 мкФ |
| Серия | SJ |
| Корпус (размер) | Radial |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип | Электролитический алюминиевый |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FR106 (1A 800V) |
|
|
|||||
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | ONS | 3 | 75.03 | |
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A |
|
76.64 | ||
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | ON SEMICONDUCTOR | 82 |
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | YJ |
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MUR860G |
|
Ультрабыстрый диод 600V 8A | 1 |
|
|
|
| RC1206JR-071M5L | YAGEO | 438 168 |
1.23 >500 шт. 0.41 |
|||||
| RC1206JR-071M5L | YAGEO |
|
|
|||||
| RC1206JR-071M5L |
|
|
||||||
| SJ010M2200B5S-1022 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 10 В | YAGEO |
|
|
|||
| SJ010M2200B5S-1022 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 10 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| SJ010M2200B5S-1022 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 10 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| ТЕРМОУСАДКА Ф11 ЧЕРНЫЙ | 80 | 10.71 | ||||||
| ТЕРМОУСАДКА Ф11 ЧЕРНЫЙ | 80 | 10.71 | ||||||
| ТЕРМОУСАДКА Ф11 ЧЕРНЫЙ | КИТАЙ | 8 | 11.25 |