SH160M0330B7F-1840
Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ 160 В
|
Версия для печати
| Производитель | Yageo Corporation |
| Допуск емкости | ±20% |
| Номинальное напряжение | 160 В |
| Емкость | 330 мкФ |
| Ток утечки | 1594 мкА |
| Тангенс угла диэлектрических потерь | 0.15 |
| Максимальный ток пульсаций | 0.85 А |
| Шаг выводов | 7.5 мм |
| Срок службы | 2000 Ч |
| Размер корпуса | ф 18x40 |
| Рабочая температура | -40...105 °C |
| For General | |
| Серия | SH |
| Корпус (размер) | Radial |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип | Электролитический алюминиевый |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| L6562ADTR | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| L6562ADTR |
|
|
||||||
| L6562ADTR | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| L6562ADTR | ST MICROELECTRONICS SEMI | 438 |
|
|||||
| L6562ADTR | STMICROELECTR |
|
|
|||||
| MMBT3906TT1 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MMBT3906TT1 | ON SEMICONDUCTOR | 49 237 |
|
|||||
| NCP1606BD | ONS |
|
|
|||||
| NCP1606BD |
|
|
||||||
| NCP1606BD |
|
|
||||||
 |
 |
STP4NB80FP |
|
Полевой транзистор | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STP4NB80FP |
|
Полевой транзистор | 1 | 226.80 | ||
|
|
|
STP4NB80FP |
|
Полевой транзистор | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
STP4NB80FP |
|
Полевой транзистор | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
STP4NB80FP |
|
Полевой транзистор | ST MICROELECTR |
|
|
|
|
|
|
STP4NB80FP |
|
Полевой транзистор | ST1 |
|
|
|
|
|
|
STP4NB80FP |
|
Полевой транзистор | ST MICROELECTRO |
|
|
