IRG4PH50S
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 33A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 57A |
| Power - Max | 200W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AD) |
| Корпус | TO-247AD |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4PH50S (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 40EPS12PBF | VISHAY |
|
|
|||||
| 40EPS12PBF | Vishay/Semiconductors |
|
|
|||||
| EF25/13/7 Р-2537 B66208-A1110-T1 КАРКАС |
|
88.00 | ||||||
| EF25/13/7 Р-2537 B66208-A1110-T1 КАРКАС | EPCOS |
|
|
|||||
 |
 |
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14 | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14 |
|
170.24 | ||
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14 | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14 | INFINEON |
|
|
|
| К78-2-0.01МКФ 1600В (10%) |
|
|
||||||
| К78-2-0.01МКФ 2000В (5%) | CHINA |
|
|
