IRG4PF50WD
Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
Напряжение К-Э максимальное 900 В |
Версия для печати
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 28A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 51A |
| Power - Max | 200W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4PF50WD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Insulated Gate Bipolar Transistor With Ultrafast Soft Recovery Diode
Производитель:
|
