IRFR5505

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFR5505		66.76
IRFR5505 (TECH PUB)	124	39.32

Версия для печати

Технические характеристики IRFR5505

FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 9.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	650pF @ 25V
Power - Max	57W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFR5505 (N-канальные транзисторные модули)

Power MOSFET (Vdss=-55V, Rds (on) =0.11ohm, Id=-18A)

Также в этом файле: IRFR5505

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFR5505 datasheet
109.78Kb
10стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC3179	Биполярный транзистор	SANKEN
2SC3179	Биполярный транзистор	SK
2SC3179	Биполярный транзистор			45.24
2SC3179	Биполярный транзистор	NTM
2SC3179	Биполярный транзистор	NO TRADEMARK
2SC3179	Биполярный транзистор	ISCSEMI
2РМДТ27КПН19Ш5А1В				1 180.00
2РМДТ27КПН19Ш5А1В		ЭЛЕКОН
2РМТ14Б4Ш1А1В				606.04
2РМТ14Б4Ш1А1В		ИСЕТЬ
2РМТ14Б4Ш1А1В		ЭЛЕКОН	26	5 650.80
2РМТ14Б4Ш1А1В		ЛТАВА
2РМТ22КПН4Ш3А1В	Вилка кабельная прямая 2РМТ, для экранированного кабеля, 4 контакта с покрытием золото
2РМТ22КПН4Ш3А1В	Вилка кабельная прямая 2РМТ, для экранированного кабеля, 4 контакта с покрытием золото
2РМТ22КПН4Ш3А1В	Вилка кабельная прямая 2РМТ, для экранированного кабеля, 4 контакта с покрытием золото	ЭЛЕКОН	52	8 180.40
2РТТ28КПН4Г10В			16	5 280.00
2РТТ28КПН4Г10В		ЭЛЕКОН