FDY2000PZ
|
Версия для печати
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 350mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Серия | PowerTrench® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 100pF @ 10V |
| Power - Max | 446mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-666 |
| Корпус | SOT-563F |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 20/Aug/2008 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDY2000PZ Dual P-Channel (В 2.5V) Specified PowerTrenchand#174; MOSFET
Производитель:
|
