BC856BDW1

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BC856BDW1		5.16

Версия для печати

Технические характеристики BC856BDW1

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	2 PNP (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	220 @ 2mA, 5V
Power - Max	380mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус	SOT-363

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC856BDW1T1

Dual General Purpose Transistors PNP Duals

Также в этом файле: BC856BDW1T1D

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

BC856BDW1 datasheet
109.8Kb
6стр.