|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
17 437
|
3.89
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIC
|
10 543
|
2.58
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ
|
49 062
|
2.56
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
3 545
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
24
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
73
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
202
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
41 544
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DIODES INC.
|
10
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MMC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
|
1 125
|
8.80
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
JY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SUNTAN
|
12 427
|
3.47
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE
|
32 000
|
2.47
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SEMTECH
|
41
|
3.76
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIС
|
126
|
3.00
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ASEMI
|
28
|
2.48
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
1
|
|
|
|
|
|
CDRH127/LDNP-101MC |
|
Дроссель силовой SMD (L=100 uH +/-20%, Idc=2.1 A, R=151 mOhm, 12.3 x 12.3 x 8 mm)
|
SUMIDA
|
2 309
|
55.18
|
|
|
|
CDRH127/LDNP-101MC |
|
Дроссель силовой SMD (L=100 uH +/-20%, Idc=2.1 A, R=151 mOhm, 12.3 x 12.3 x 8 mm)
|
|
|
124.00
|
|
|
|
CDRH127/LDNP-101MC |
|
Дроссель силовой SMD (L=100 uH +/-20%, Idc=2.1 A, R=151 mOhm, 12.3 x 12.3 x 8 mm)
|
SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC
|
|
|
|
|
|
CDRH127/LDNP-101MC |
|
Дроссель силовой SMD (L=100 uH +/-20%, Idc=2.1 A, R=151 mOhm, 12.3 x 12.3 x 8 mm)
|
SUM
|
|
|
|
|
|
CDRH127/LDNP-101MC |
|
Дроссель силовой SMD (L=100 uH +/-20%, Idc=2.1 A, R=151 mOhm, 12.3 x 12.3 x 8 mm)
|
КИТАЙ
|
720
|
108.24
|
|
|
|
IRL640 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 200В, логический уровень включателя
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRL640 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 200В, логический уровень включателя
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRL640 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 200В, логический уровень включателя
|
|
|
101.20
|
|
|
|
IRL640 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 200В, логический уровень включателя
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRL640 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 200В, логический уровень включателя
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRL640 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 200В, логический уровень включателя
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
KBPC2510 25A 1000V (BR2510) |
|
|
|
2 848
|
71.98
|
|
|
|
KBPC5010 |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
KBPC5010 |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
KBPC5010 |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
|
|
39
|
264.00
|
|
|
|
KBPC5010 |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
|
MIC
|
|
|
|
|
|
KBPC5010 |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
|
EUPEK
|
|
|
|
|
|
KBPC5010 |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
|
QUAN-HONG
|
|
|
|
|
|
KBPC5010 |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
KBPC5010 |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
|
YJ
|
2 637
|
119.72
|
|
|
|
KBPC5010 |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
KBPC5010 |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
KBPC5010 |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
|
PS
|
|
|
|
|
|
KBPC5010 |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
KBPC5010 |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
|
SEP
|
|
|
|
|
|
KBPC5010 |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
KBPC5010 |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
KBPC5010 |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
KBPC5010 |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
|
SSO
|
|
|
|
|
|
KBPC5010 |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
|
KLS
|
3 920
|
108.24
|
|
|
|
KBPC5010 |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
|
HOTTECH
|
580
|
108.24
|
|
|
|
KBPC5010 |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
KBPC5010 |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
|
YANGJIE
|
5 800
|
86.47
|
|
|
|
KBPC5010 |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
KBPC5010 |
|
Диодный мост 50А, 1000В в металлическом корпусе с выводами в виде ножевых клемм 6,3мм
|
HYELEC
|
1 212
|
182.78
|
|