NE3512S02-T1D-A
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
NE3512S02-T1D-A (NEC ELECTRONICS.) |
30 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
HJ-FET NCH 13.5DB S02
|
Версия для печати
Технические характеристики NE3512S02-T1D-A
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | HFET |
| Частота | 12GHz |
| Frequency | 12GHz |
| Gain | 13.5dB |
| Voltage - Test | 2V |
| Current Rating | 70mA |
| Noise Figure | 0.35dB |
| Current - Test | 10mA |
| Номинальное напряжение | 4V |
| Корпус (размер) | S02 |
| Корпус | S02 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
