NTMFS4835NT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NTMFS4835NT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	263	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики NTMFS4835NT1G

Gate Charge (Qg) @ Vgs	39nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 mOhm @ 30A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3100pF @ 12V
Power - Max	890mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	5-DFN, SO8 FL
Корпус	6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.