К 157 УД3

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КП303Е	Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...		13 172	27.90
КП303Е	Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	ФОТОН	800	78.52
КП303Е	Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	АЛЕКСАНДРОВ
КП303Е	Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	АЛЕСАНДРОВ
КП303Е	Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	RUS
КР159НТ1Б	Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)		801	37.48
КР159НТ1Б	Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)	ТОНДИ
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный		52 768	7.56
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	ТОМСК
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	RUS
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	НИИПП ТОМСК	3	8.27
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	465
КУ202Е1			1 071	21.08
КУ202Е1		СЗТП	8	106.19
КУ202Е1		САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КЦ 405 А	Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц	RUS