К 157 УД3

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КП303В	Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...			37.48
КП303В	Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...	ФОТОН
КП303В	Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...	АЛЕКСАНДРОВ
КП303В	Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...	АЛЕКСАНДРОВСК
КП303В	Транзистор к кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...	RUS
КП303Е	Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...		1 760	37.48
КП303Е	Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	ФОТОН	9 742	27.90
КП303Е	Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	АЛЕКСАНДРОВ	4	148.80
КП303Е	Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	АЛЕСАНДРОВ
КП303Е	Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	RUS
КР159НТ1Б	Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)		801	37.48
КР159НТ1Б	Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей)	ТОНДИ
КУ202Д1			169	5.52
КУ202Д1		САРАНСК
КУ202Д1		СТАРТ	715	14.88
КУ202Д1		СЗТП	8	78.08
КУ202Д1		САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КУ202Д1		894
КЦ 405 А	Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц	RUS