Версия для печати
Технические характеристики UF4004

Корпус	DO-41
Корпус (размер)	DO-204AL, DO-41, Axial
Тип монтажа	Выводной
Capacitance @ Vr, F	17pF @ 4V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr)	50ns
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type	Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 400V
Current - Average Rectified (Io)	1A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	400V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1V @ 1A
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

FUF400x (Ультра-быстрые восстанавливающиеся выпрямители) 1 Amp. Glass Passivated Ultrafast Recovery Rectifier Также в этом файле: FUF4004 Производитель: Fagor http://www.fagor.com UF4004 datasheet 37.58Kb 2стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - одиночные

Синонимы от поставщиков: UF4004 ; UF-4004 ; UF 4004 ; UF — 4004 ; UF4004 ; диод UF4004 ;

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A		1 080	3.50
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ST MICROELECTRONICS	11 925	2.02
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MIC
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIRCHILD	48
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY SEMI HOLDINGS CO LTD.	52
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MOTOROLA	60
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	OTHER	80
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	PHILIPS	68
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ST MICROELECTRONICS SEMI	125
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YJ ELECTRONIC
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GENERAL SEMICONDUCTOR	14
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YJ	19 124	1.41
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ON SEMICONDUCTOR	16
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	DC COMPONENTS	25 488	1.79
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MCC
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	FAIR
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	BL	4 584	2.00
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	JF
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	КИТАЙ
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	KINGTRONICS	1 520	2.95
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ONS-FAIR	1	4.81
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	ONS
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	MASTER INSTRUMENT	52	7.83
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	GALAXY ME	10 304	3.06
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	HOTTECH
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGJIE
		1N5817		Диод Шоттки 20В, 1.0A	YANGJIE (YJ)	256	1.97
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	PHILIPS
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт		870	4.80
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	DC COMPONENTS	2 549	1.52
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	NXP	2 128	1.80  >100 шт.   0.90
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	DIOTEC	8 943	1.31
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	NATIONAL SEMICONDUCTOR	1 142
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	NXP	15 086
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	PHILIPS
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	MCC
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	Diodes Inc
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	КИТАЙ
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	LRC	11 200	1.97
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	HOTTECH	383	1.96  >100 шт.   0.98
		BC817-16		Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	KLS
		POL-12017R			PMI
		POL-12017R
		UC2845AN		ШИМ контроллер (Uout=5V, Fosc=52kHz, Uin(max)=30V, Io(max)=1A, t=-40.+150C)	UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS
		UC2845AN		ШИМ контроллер (Uout=5V, Fosc=52kHz, Uin(max)=30V, Io(max)=1A, t=-40.+150C)
		UC2845AN		ШИМ контроллер (Uout=5V, Fosc=52kHz, Uin(max)=30V, Io(max)=1A, t=-40.+150C)	TEXAS INSTRUMENTS	110	72.61
		UC2845AN		ШИМ контроллер (Uout=5V, Fosc=52kHz, Uin(max)=30V, Io(max)=1A, t=-40.+150C)	UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS C	16
		UC2845AN		ШИМ контроллер (Uout=5V, Fosc=52kHz, Uin(max)=30V, Io(max)=1A, t=-40.+150C)	TEXAS
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц		574	23.01
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	МИНСК	6 584	23.40
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ЗПП МИНСК
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ	1 512	51.55
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	RUS	1 200	46.25

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2021 АО "Контест"