|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
DC COMPONENTS
|
5 284
|
3.70
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
|
11 680
|
2.00
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
FAIRCHILD
|
7
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
MOTOROLA
|
1 696
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
9 888
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
OTHER
|
88
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
TAK CHEONG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4750A |
|
Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA
|
KLS
|
4 000
|
2.02
|
|
|
|
1N5337BG |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5337BG |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5337BG |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N5337BG |
|
|
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
NEC
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
DC COMPONENTS
|
20 784
|
12.72
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
MATSUSHITA
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
|
8 214
|
8.33
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
SS9014C |
|
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|
|
|
SS9014C |
|
|
|
35 258
|
3.00
|
|
|
|
SS9014C |
|
|
Џ‹ЂЌ…’Ђ
|
|
|
|
|
|
SS9014C |
|
|
|
35 258
|
3.00
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
|
669
|
9.62
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
КРЕМНИЙ
|
8
|
13.26
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
БРЯНСК
|
5 234
|
12.40
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|