Версия для печати
Технические характеристики 293D106X9020B2TE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TANTAMOUNT® 293D
Емкость	10µF
Номинальное напряжение	20V
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
ESR (Equivalent Series Resistance)	2.100 Ohm
Тип	Molded
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	1210 (3528 Metric)
Size / Dimension	0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm)
Высота	0.083" (2.11mm)
Manufacturer Size Code	B
Возможности	General Purpose

Танталовый ЧИП конденсатор 150 мкФ, 16В, тип D, 10% 293D106X9020B2TE3 datasheet 609,48kB 24стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Электролитический танталовый

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP	2 608	1.86
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DC COMPONENTS	28 445	3.38
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DIOTEC	87 373	1.84  >100 шт.   0.92
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ES
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS	486
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	STMicroelectronics
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	КИТАЙ
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	INFINEON TECH
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY ME
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	HOTTECH	297 277	1.78  >100 шт.   0.89
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...		43 235	1.42  >100 шт.   0.71
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	LRC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KLS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KOME	1	1.76
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	SUNTAN	2 957	1.78  >100 шт.   0.89
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NEX-NXP	112	3.10
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YJ	102 979	2.10
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	TRR	50 400	1.35  >500 шт.   0.45
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	XXW	163 790	1.04  >100 шт.   0.52
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	CTK
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KEEN SIDE	2 800	1.50  >500 шт.   0.50
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	MERRYELC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE	1 732	1.41  >500 шт.   0.47
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	2375
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	935
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DAYA	4 800	1.30
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KEXIN	4 800	1.30
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ZITEK	4 000	1.30
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	3000
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	RUME	72 000	1.35  >500 шт.   0.45
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	SLKOR	21 600	1.06  >100 шт.   0.53
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	NXP	4 782	7.44
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	PHILIPS
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт		13 600	2.24
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	NXP
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	PHILIPS	160
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	ГОНКОНГ
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	КИТАЙ
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	320	15.81
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	HOTTECH	24 785	6.00
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	0.00
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	DIOTEC	1 368	9.51
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	ASEMI	3 400	3.19
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	YJ	52 997	3.99
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	KOME	406	5.04
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	SUNTAN	45	3.07
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	XSEMI
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	NXP/NEXPERIA	40	6.58
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	KEEN SIDE
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	2000
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	3265
		BCX53-16		Транзистор биполярный SMD S-P 80В 1A 1.3Вт	12900
		CC0805JRX7R9BB223		Керамический конденсатор 0.022 мкФ 50 В	YAGEO	101 182	1.43
		CC0805JRX7R9BB223		Керамический конденсатор 0.022 мкФ 50 В
		CC1206KKX7R9BB224		Керамический ЧИП конденсатор 0.22 мкФ X7R (10%) 1206	YAGEO	1 463	2.76
		CC1206KKX7R9BB224		Керамический ЧИП конденсатор 0.22 мкФ X7R (10%) 1206			13.36
		CC1206KKX7R9BB224		Керамический ЧИП конденсатор 0.22 мкФ X7R (10%) 1206	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CC1206KKX7R9BB224		Керамический ЧИП конденсатор 0.22 мкФ X7R (10%) 1206	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		RC1206JR-07820KL			YAGEO	3 332	1.10  >100 шт.   0.55
		RC1206JR-07820KL			YAGEO
		RC1206JR-07820KL

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"