TLE5216G
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CC0402JRNPO9BN200 |
|
Керамический конденсатор 20 пФ 50 В | YAGEO | 253 334 |
0.90 >1000 шт. 0.18 |
|||
| CC0402JRNPO9BN200 |
|
Керамический конденсатор 20 пФ 50 В |
|
|
||||
| SAF-C509-LM | INFINEON |
|
|
|||||
| SAF-C509-LM | INFINEON |
|
|
|||||
| SAF-C509-LM | INFINEON TECH |
|
|
|||||
 |
 |
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | 4 | 340.00 | ||
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRO |
|
|
|
 |
|
TLE4267G | INFINEON |
|
|
|||
|
|
|
TLE4267G | 1 | 246.40 | ||||
|
|
|
TLE4267G | INFINEON TECH |
|
|
|||
|
|
|
TLE4267G | INFINEON |
|
|
|||
 |
|
КТ 3107 Б |
|
Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ... | RUS |
|
|
