| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
|
208
|
100.58
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
PMC
|
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ISC
|
296
|
110.10
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
|
2N3055 |
|
Транзистор NPN 100В, 15А
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
|
7 760
|
23.77
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
MINOS
|
1 363
|
41.92
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
400
|
43.35
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
7
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
2 892
|
13.23
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 С КЛЕЕМ |
|
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
|
ПЭ-15-3,3 КОМ-5% |
|
|
|
1
|
31.68
|
|
Версия для печати
