КТ815Г9

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
КТ815Г9 (МИНСК)	149	37.20
КТ815Г9 (ИНТЕГРАЛ)	266	41.38

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805-NP0-39PF 5% 50V	Керамический конденсатор 39 пФ 50 В	MURATA
0805-NP0-39PF 5% 50V	Керамический конденсатор 39 пФ 50 В		27	3.00
FQPF10N60C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	FAIR
FQPF10N60C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	FSC
FQPF10N60C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	FAIRCHILD
FQPF10N60C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)			130.80
FQPF10N60C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	FAIRCHILD
FQPF10N60C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	Fairchild Semiconductor
FQPF10N60C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	США
FQPF10N60C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
FQPF10N60C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	FSC1
FQPF10N60C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	ONS-FAIR
FQPF10N60C	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	ONS
SK050M0470B5S-1019	Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 50 В	YAGEO
SK050M0470B5S-1019	Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 50 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
SK050M0470B5S-1019	Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 50 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
КТ814Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц		11 796	22.08
КТ814Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	КРЕМНИЙ	4 320	54.76
КТ814Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	ИНТЕГРАЛ
КТ814Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	БРЯНСК	12 883	33.48
КТ814Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	МИНСК	7 800	33.48
КТ814Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	ТРАНЗИСТОР
КТ814Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	RUS
КТ814Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	1000
КТ814Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	10000
КТ814Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	11366
КТ814Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	27
КТ814Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	4794
КТ817Г9			15	37.80
КТ817Г9			15	37.80
КТ817Г9		МИНСК	1 425	65.10
КТ817Г9		ИНТЕГРАЛ	8	41.38
КТ817Г9		ТРАНЗИСТОР
КТ817Г9		1003
КТ817Г9		779