ТВК-110Л2

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
SS9018	NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz	SAMSUNG	1	1.83
SS9018	NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz			2.80
SS9018	NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz			2.80
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	ST MICROELECTRONICS
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	SGS
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8		39	72.00
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	UTC
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	SGS THOMSON
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	ST MICROELECTRONICS SEMI
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	STMicroelectronics
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	ST1
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	ST MICROELECTRO
TBA820M	ИМС УНЧ 2Вт DIP8	1
КТ117Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа		289	123.20
КТ117Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа	КРИСТАЛЛ
КТ117Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа	УЛЬЯНОВСК	4 813	34.00
КТ117Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа	RUS
КТ117Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа	УРЛЗ	240	216.48
КТ117Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа	КАЛУГА
КТ345В			2	7.04
КТ345В		РИГА
КТ345В			2	7.04
МП103А			1	21.12
МП103А		СВЕТЛАНА