IRF3205Z
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 66A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 75A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3450pF @ 25V |
| Power - Max | 170W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF3205Z (Дискретные сигналы) HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF3205ZL, IRF3205ZS
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EFD20 BBN КАРКАС | SHAAN |
|
|
|||||
| EFD20 BBN КАРКАС |
|
14.40 | ||||||
| EFD20 N87 B66417-G-X187 | EPCOS |
|
|
|||||
| EFD20 N87 B66417-G-X187 |
|
49.40 | ||||||
| MCA9H2.5-500К | ACP |
|
|
|||||
| MCA9H2.5-500К |
|
56.96 | ||||||
| MCA9H2.5-50К | ACP |
|
|
|||||
| MCA9H2.5-50К |
|
56.96 |
