Версия для печати
Технические характеристики TLP504A

Тип входа	DC
Количество каналов	2
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Vce Saturation (Max)	400mV
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Тип выхода	Transistor
Current - DC Forward (If)	50mA
Ток выходной / канал	50mA
Напряжение выходное	55V
Current Transfer Ratio (Max)	600% @ 5mA
Current Transfer Ratio (Min)	50% @ 5mA
Voltage - Isolation	2500Vrms
Output Type	Transistor

TLP504A (Оптроны транзисторные (с транзисторным выходом)) programmable controllers ac / dc-input module solid state relay Также в этом файле: TLP504A-2 Производитель: Toshiba Semiconductor //www.semicon.toshiba.co.jp TLP504A datasheet 305.83Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Оптоэлектроника

 » 

Оптроны

 » 

Фототранзистор

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	ST MICROELECTRONICS	126	65.49
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус			128.56
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	STMICROELECTRONICS
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	КИТАЙ
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	ST MICROELECTRONICS SEMI	25
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	YOUTAI	5 410	60.02
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	34.36
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	5 437	17.82
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...		3 051	20.24
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	МИНСК	8 930	29.76
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	ЗПП МИНСК
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	RUS
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	ИНТЕГРАЛ
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	ИНТЕГРАЛ-С
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	1058
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	14555
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	3000
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...		785	3.68
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	КРЕМНИЙ	800	14.05
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	ПЛАНЕТА	1 404	10.15
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	БРЯНСК	2 505	15.07
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	МИНСК	1 720	14.51
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	ЭЛЕКС
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	КРЕМН
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	КРЕМНИЙ ЭЛ	1	2.90
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	132
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	2150
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	3000
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	765
		КТ209К		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	1
		Т106-10-2					110.40

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"