|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
|
6 177
|
1.46
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 632
|
9.60
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
DC COMPONENTS
|
19 022
|
3.31
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
FAIRCHILD
|
246
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
219
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
MOTOROLA
|
4
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
35
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
FAGOR
|
13
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
КИТАЙ
|
26
|
12.75
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
MASTER INSTRUMENT
|
400
|
12.75
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
MIG
|
3 632
|
3.00
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
LGE
|
5 120
|
1.97
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
MIC
|
6 544
|
4.05
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
YANGJIE
|
8 000
|
2.08
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
HOTTECH
|
16 520
|
2.15
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
TRR
|
|
|
|
|
|
1N5818 |
|
Диод Шоттки 30В, 1A, 25A
|
1
|
|
|
|
|
|
2SC945 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz
|
|
24 008
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
2SC945 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz
|
NEC
|
|
|
|
|
|
2SC945 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz
|
DC COMPONENTS
|
8 583
|
3.17
|
|
|
|
2SC945 |
|
Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BTA16-600BRG |
|
Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BTA16-600BRG |
|
Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус
|
|
|
128.56
|
|
|
|
BTA16-600BRG |
|
Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BTA16-600BRG |
|
Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BTA16-600BRG |
|
Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
26
|
|
|
|
|
BTA16-600BRG |
|
Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус
|
YOUTAI
|
4 870
|
36.08
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
SGS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
800
|
43.35
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
|
|
21.28
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
HTC TAEJIN
|
1 760
|
22.63
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
400
|
43.35
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
7
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
2 910
|
12.45
|
|