| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
B57237S0330M000 |
|
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
|
B57237S0330M000 |
|
|
EPCOS Inc
|
|
|
|
|
|
|
B57237S0330M000 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
B57237S0330M000 |
|
|
TDK EPCOS
|
|
|
|
|
|
|
B57237S0330M000 |
|
|
TDKEPCOS
|
|
|
|
|
|
|
B57237S0330M000 |
|
|
TDK
|
5 399
|
13.07
|
|
|
|
|
B57237S0330M000 |
|
|
TDK-EPC
|
|
|
|
|
|
|
B57237S0330M000 |
|
|
TDK (EPCOS)
|
236
|
47.73
|
|
 |
|
CC1206KKX5R6BB106 |
|
Керамический ЧИП конденсатор.10 мкФ, X5R, 10%, 1206, 10B
|
YAGEO
|
16 725
|
4.87
|
|
|
|
|
CC1206KKX5R6BB106 |
|
Керамический ЧИП конденсатор.10 мкФ, X5R, 10%, 1206, 10B
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX5R6BB106 |
|
Керамический ЧИП конденсатор.10 мкФ, X5R, 10%, 1206, 10B
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX5R6BB106 |
|
Керамический ЧИП конденсатор.10 мкФ, X5R, 10%, 1206, 10B
|
|
|
|
|
|
|
 |
DS2408S+ |
|
8-канальный адресуемый ключ 1-Wire, Ind
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
|
DS2408S+ |
|
8-канальный адресуемый ключ 1-Wire, Ind
|
MAX
|
|
|
|
|
|
|
RC1206FR-0724KL |
|
|
YAGEO
|
187 296
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
|
RC1206FR-0724KL |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
|
20.40
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
7 166
|
33.48
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
1154
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2000
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2276
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2380
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
3398
|
|
|
|
Версия для печати
