КС162А2
стекло
|
|
Версия для печати
| Мощность рассеяния,Вт | 0.15 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 5.8 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 6.2 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 6.6 |
| Статическое сопротивление Rст.,Ом | 45 |
| при токе I ст,мА | 10 |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.01 |
| Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 1.5 |
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 3 |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 22 |
| Рабочая температура,С | -60...125 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | kd 2 |
| Производитель | Россия |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
0805-6.8K 5% |
|
ЧИП — резистор 6.8кОм, 5%, 0.125Вт | 176 |
1.20 >500 шт. 0.40 |
|||
| TX5000 | RFM |
|
|
|||||
| TX5000 |
|
1 280.00 | ||||||
| К73-9-4700ПФ 630В (5%) |
|
|
||||||
 |
 |
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс | 13 | 127.50 | ||
|
|
|
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс | ФОТОН | 23 | 100.00 | |
|
|
|
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс | СЗТП | 12 | 438.60 | |
 |
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | КРЕМНИЙ | 106 | 1 147.50 | |
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | 65 | 805.00 | ||
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | БРЯНСК | 199 | 1 250.00 | |
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | СИТ |
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | RUS |
|
|
