IRFBG30PBF
Полевой транзистор N-канальный (Vds=1000V, Id=3.1A, Idm=12A, Rds=5Ohm, P=125W, -55 to +150C), Pb-free.
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 1.9A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 980pF @ 25V |
| Power - Max | 125W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFBG30PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BA159 (1A 1000V) |
|
Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс |
|
|
||
| MF-2-51K 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический | CHINA |
|
|
|||
| MF-2-51K 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический |
|
8.00 | ||||
|
|
PBSS4540Z | NXP |
|
|
||||
|
|
PBSS4540Z | 8 | 108.00 | |||||
|
|
PBSS4540Z | 8 | 108.00 | |||||
|
|
PBSS4540Z | PH / NXP |
|
|
||||
| PBSS5540Z | PHILIPS |
|
|
|||||
| PBSS5540Z | 9 | 96.00 | ||||||
| PBSS5540Z | NXP |
|
|
|||||
| PBSS5540Z | PHILIPS |
|
|
|||||
| PBSS5540Z | NXP | 16 |
|
|||||
| ДИХЛОРЭТАН, 30 МЛ |
|
78.00 |
