|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD5391BCP-5 |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
EP2C8T144C8N |
|
Плис семейства Cyclone II, 8256 вентилей, 85 линий ввода/вывода, 165888 bits RAM, ...
|
ALTERA
|
|
|
|
|
|
EP2C8T144C8N |
|
Плис семейства Cyclone II, 8256 вентилей, 85 линий ввода/вывода, 165888 bits RAM, ...
|
ALT
|
|
|
|
|
|
EP2C8T144C8N |
|
Плис семейства Cyclone II, 8256 вентилей, 85 линий ввода/вывода, 165888 bits RAM, ...
|
ALTERA
|
516
|
|
|
|
|
EP2C8T144C8N |
|
Плис семейства Cyclone II, 8256 вентилей, 85 линий ввода/вывода, 165888 bits RAM, ...
|
|
|
2 180.00
|
|
|
|
KP-2012SYC |
|
Светодиод SMD 0805 желтый 36-100мКд 120°
|
KB
|
|
|
|
|
|
KP-2012SYC |
|
Светодиод SMD 0805 желтый 36-100мКд 120°
|
KINGBRIGHT
|
1
|
31.49
|
|
|
|
KP-2012SYC |
|
Светодиод SMD 0805 желтый 36-100мКд 120°
|
|
|
8.96
|
|
|
|
KP-2012SYC |
|
Светодиод SMD 0805 желтый 36-100мКд 120°
|
KGB
|
8 692
|
12.90
|
|
|
|
KP-2012SYC |
|
Светодиод SMD 0805 желтый 36-100мКд 120°
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
KP-2012SYC |
|
Светодиод SMD 0805 желтый 36-100мКд 120°
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
KP-2012SYC |
|
Светодиод SMD 0805 желтый 36-100мКд 120°
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MM74HC595MTC |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MM74HC595MTC |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MM74HC595MTC |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MM74HC595MTC |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MM74HC595MTC |
|
|
|
|
|
|
|
|
MM74HC595MTC |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
|
916
|
11.38
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
МИНСК
|
5 971
|
13.00
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
137
|
20.76
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
БРЯНСК
|
1 024
|
8.00
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
13.77
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ТРАНЗИСТОР
|
3 280
|
22.63
|
|