MUN5216T1G


Купить MUN5216T1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
MUN5216T1G TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323 TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-323
Версия для печати

Технические характеристики MUN5216T1G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Product Change NotificationProduct Discontinuation 03/Apr/2007
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)4.7K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce160 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Power - Max202mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SC-70, SOT-323
КорпусSC-70-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


MUN5216T1G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход