Версия для печати
Технические характеристики DDTA114ECA-7

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	10K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Frequency - Transition	250MHz
Power - Max	200mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные, со встроенными резисторами

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450		3 720	7.20
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS	800	6.63
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIR
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DC COMPONENTS	4 519	2.46
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DIOTEC	166 907	1.29
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	INFINEON
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ON SEMICONDUCTOR
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ONS
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD	3 760
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP	3 008
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS	6 583
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	Fairchild Semiconductor
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS SEMIC
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	КИТАЙ
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KINGTRON
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY ME
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YJ	274 211	1.40
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SEMTECH
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	MULTICOMP
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	LRC
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	HOTTECH	20 711	1.96  >100 шт.   0.98
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KLS
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KOME	10	2.16
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SUNTAN
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NEX-NXP
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YANGJIE
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YANGJIE (YJ)
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	TRR	9 555	1.14
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP	3 144	2.00
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DC COMPONENTS	30 499	2.61
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DIOTEC	21 592	2.85
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ES
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS	414
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	STMicroelectronics
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	КИТАЙ
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	INFINEON TECH
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY ME
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	HOTTECH	19 294	1.96  >100 шт.   0.98
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...		52 846	1.68  >100 шт.   0.84
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	LRC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KLS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KOME	1	1.79
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	SUNTAN	35 123	1.04
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NEX-NXP	112	5.90
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YJ	287 460	1.33
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	TRR	14 400	1.10  >100 шт.   0.55
		D15XB60-7000					209.20
		D15XB60-7000			SHINDENGEN
		FGH50N3(PRFMD)			FAIR
		GT35J321		Биполярный транзистор	TOSHIBA
		GT35J321		Биполярный транзистор	TOS
		GT35J321		Биполярный транзистор			1 720.00

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"