DDTD114GC-7-F


Купить DDTD114GC-7-F ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
DDTD114GC-7-F TRANS NPN 200MW R1/R2 SOT23-3 TRANS NPN 200MW R1/R2 SOT23-3
Версия для печати

Технические характеристики DDTD114GC-7-F

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Product Change NotificationEncapsulate Change 15/May/2008
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce56 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Frequency - Transition200MHz
Power - Max200mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусSOT-23-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


DDTD114GC-7-F datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход